Unter der sogenannten Dotierung versteht man in der Halbleitertechnik die Modifikation von – zumeist metallischem – Ausgangsmaterial. Dabei werden in der Regel in sehr geringem Umfang Atome einer anderen Atomsorte in das reine Material eingebracht. Dies hat dann zur Folge, dass sich die elektrischen Eigenschaften des ursprünglichen Materials verändern. Es entstehen sogenannte Störstellen im Halbleiter.
Generell muss man hier noch zwischen der „p“-Dotierung und der „n“-Dotierung unterscheiden. Je nachdem, ob sich die Anzahl der freien Elektronen im Halbleiter erhöhen oder verringern soll, werden entweder Atome eingebracht, die Elektronen akzeptieren bzw. aufnehmen (p-Dotierung) oder zusätzliche Elektronen einbringen (n-Dotierung).
Beim Beispiel eines Silizium-Halbleiters erreicht man häufig durch Einfügen von Bor, Aluminium oder Gallium eine p-Dotierung und durch Elemente wie Phosphor oder Antimon eine n-Dotierung. Die jeweiligen Fremdatome fügen sich im Kristallgitter des Silizium ein und verhalten sich dort wie ein Silizium-Atom, das jedoch entweder mehr oder weniger Valenzelektronen in den Gitterverband einbringt als ein echtes Silizium-Atom.